<li id="phczw"></li>
        1. <s id="phczw"></s><th id="phczw"></th>

          充電器芯片阿里巴巴店鋪 開關電源芯片關注驪微 電機驅動芯片收藏驪微 歡迎進入電源芯片/驅動芯片、MOS、IGBT、二三極管、橋堆等電子元器件代理商--驪微電子官網
          高級搜索

          搜索一

          搜索二

          充電管理IC方案
          當前位置: 電源ic > 新聞中心 > 技術資訊 > N溝道mos管工作原理及n溝道mos管用途!

          N溝道mos管工作原理及n溝道mos管用途!

          字號:T|T
          文章出處:驪微電子責任編輯:電源管理芯片人氣:-發表時間:2022-12-30 15:02
            項目中最常用的為增強型mos管,可分為N溝道和P溝道兩種,n溝道MOS管由p型襯底和兩個高濃度n擴散區構成,該管導通時在兩個高濃度n擴散區間形成n型導電溝道,由于N溝道mos管其導通電阻小,且容易制造所以項目中大部分用到的是NMOS。
           
            
            N溝道增強型MOS管的工作原理  
           。1)VGS對ID及溝道的控制作用  
           、 VGS=0 的情況  
            增強型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個背靠背的PN結。當柵——源電壓VGS=0時,即使加上漏——源電壓VDS,而且不論VDS的極性如何,總有一個PN結處于反偏狀態,漏——源極間沒有導電溝道,所以這時漏極電流ID≈0。
            
           、 VGS>0 的情況  
            若VGS>0,則柵極和襯底之間的SiO2絕緣層中便產生一個電場。電場方向垂直于半導體表面的由柵極指向襯底的電場。這個電場能排斥空穴而吸引電子! 
            排斥空穴:使柵極附近的P型襯底中的空穴被排斥,剩下不能移動的受主離子(負離子),形成耗盡層。吸引電子:將 P型襯底中的電子(少子)被吸引到襯底表面。
            
           。2)導電溝道的形成  
            當VGS數值較小,吸引電子的能力不強時,漏——源極之間仍無導電溝道出現,如圖1(b)所示。VGS增加時,吸引到P襯底表面層的電子就增多,當VGS達到某一數值時,這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個N型薄層,且與兩個N+區相連通,在漏——源極間形成N型導電溝道,其導電類型與P襯底相反,故又稱為反型層。VGS越大,作用于半導體表面的電場就越強,吸引到P襯底表面的電子就越多,導電溝道越厚,溝道電阻越小! 
            開始形成溝道時的柵——源極電壓稱為開啟電壓,用VT表示! 
            N溝道MOS管在VGS<VT時,不能形成導電溝道,管子處于截止狀態。只有當VGS≥VT時,才有溝道形成。這種必須在VGS≥VT時才能形成導電溝道的MOS管稱為增強型MOS管。溝道形成以后,在漏——源極間加上正向電壓VDS,就有漏極電流產生。
            
           。3)VDS對ID的影響  
            當VGS>VT且為一確定值時,漏——源電壓VDS對導電溝道及電流ID的影響與結型場效應管相似! 
            漏極電流ID沿溝道產生的電壓降使溝道內各點與柵極間的電壓不再相等,靠近源極一端的電壓最大,這里溝道最厚,而漏極一端電壓最小,其值為VGD=VGS-VDS,因而這里溝道最薄。但當VDS較。╒DS<VGS–VT)時,它對溝道的影響不大,這時只要VGS一定,溝道電阻幾乎也是一定的,所以ID隨VDS近似呈線性變化! 
            隨著VDS的增大,靠近漏極的溝道越來越薄,當VDS增加到使VGD=VGS-VDS=VT(或VDS=VGS-VT)時,溝道在漏極一端出現預夾斷。再繼續增大VDS,夾斷點將向源極方向移動。由于VDS的增加部分幾乎全部降落在夾斷區,故ID幾乎不隨VDS增大而增加,管子進入飽和區,ID幾乎僅由VGS決定。
            
            N溝道mos管是利用VGS來控制“感應電荷”的多少,以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況,然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時,通過工藝使絕緣層中出現大量正離子,故在交界面的另一側能感應出較多的負電荷,這些負電荷把高滲雜質的N區接通,形成了導電溝道,即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時,溝道內被感應的電荷量也改變,導電溝道的寬窄也隨之而變,因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。
            
            n溝道mos管最顯著的特性是開關特性好,所以被廣泛應用在需要電子開關的電路中,常見的如工業領域:步進馬達驅動、電鉆工具、工業開關電源;新能源領域:光伏逆變、充電樁、無人機;交通運輸領域:車載逆變器、汽車HID安定器、電動自行車;綠色照明領域:CCFL節能燈、LED照明電源、金鹵燈鎮流器等,更多N溝道mos管相關選型及手冊請向驪微電子申請。>>

          產品中心 關于驪微 聯系我們
          久久综合亚洲色hezyo国产_久久综合国产乱子免费_国产极品99热在线播放69_神马激情

                <li id="phczw"></li>
              1. <s id="phczw"></s><th id="phczw"></th>