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          常用IGBT耐壓600V絕緣柵雙極型晶體管參數

          字號:T|T
          文章出處:驪微電子責任編輯:電源管理芯片人氣:-發表時間:2023-03-28 13:34
            IGBT是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,具有高頻率、高電壓、大電流,易于開關等優良性能,被業界譽為功率變流裝置的“CPU”,士蘭微生產的耐壓600V IGBT產品,覆蓋了從5A至50A的電流規格,在電焊機、變頻器和IPM領域已經得到了大規模應用,獲得了業內廣泛好評。
            
            SGTP5T60SD1D/F/S IGBT絕緣柵雙極型晶體管,5A,600V,VCE(sat)(典型值)=1.5V@IC=5A,有TO252、TO263、TO220F多種封裝,可應用于UPS,SMPS以及PFC等領域。
            
            SGT15T60SD1T/F/S 15A、600V絕緣柵雙極型晶體管,飽和壓降VCE(sat)(典型)=1.65V@IC=15A,有T0-220-3L、T0-220F-3L、T0-263-2L多種封裝,具有較低的導通損耗和開關損耗。
            
            SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN) 絕緣柵雙極型晶體管,集電極-射極電壓600V,集電極電流(Tc=100°)20A,具有較低的飽和壓降VCE(sat)(典型)=1.65V@IC=20A,有T0-220F-3L、T0-263-2L、T0-247-3L、T0-220FD-3L、T0-3P、T0-220-3L多種封裝。
            
            SGT20T60SDM1P7 20、600V絕緣柵雙極型晶體管,飽和壓降VCE(sat)(典型)=1.7V@IC=20A,采用T0-247-3L封裝,具有導通損耗、快開關速度、高輸入阻抗等特點。
            
            SGT30T60SD1F 絕緣柵雙極型晶體管,集電極-射極電壓600V,集電極電流(Tc=100°)30A,具有較低的飽和壓降VCE(sat)(典型)=1.65V@IC=30A,有T0-220F-3L、TO-220FD-3L兩種封裝。
            
            SGT30T60SDM1P7 30A、600V絕緣柵雙極型晶體管,飽和壓降VCE(sat)(典型)=1.65V@IC=30A,采用T0-2473L封裝。
            
            SGTP50V60FD2PF絕緣柵雙極型晶體管,集電極-射極電壓600V,集電極電流(Tc=100°)50A,飽和壓降VCE(sat)(典型)=1.65V@IC=50A,采用TO-3PF封裝,具有較低的導通損耗和開關損耗,該產品可應用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等領域。
            
            常用IGBT耐壓600V系列有TO252、TO263、TO220F、TO247、TO220FD、TO3PF、TO247N等多種封裝,滿足不同市場和應用的需求提供品質穩定和優異性能的產品,同時能夠控制成本,保證供貨,從而能讓產品在價格、供貨以及技術支持方面有著持續的優勢,更多600V-1350V IGBT絕緣柵雙極型晶體管產品手冊、參數及方案應用資料請向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請。>>
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