<li id="phczw"></li>
        1. <s id="phczw"></s><th id="phczw"></th>

          充電器芯片阿里巴巴店鋪 開關電源芯片關注驪微 電機驅動芯片收藏驪微 歡迎進入電源芯片/驅動芯片、MOS、IGBT、二三極管、橋堆等電子元器件代理商--驪微電子官網
          高級搜索

          搜索一

          搜索二

          充電管理IC方案

          推薦產品

          聯系我們

          開關電源芯片
          深圳市驪微電子科技有限公司

          電話:0755-23087599

          手機:13808858392

          郵箱:dunianhua@leweitech.com

          地址:深圳市寶安區西鄉鶴洲恒豐工業城B11棟5樓東

          prevnext

          ID7S625 600V高壓逆變器驅動芯片

          品牌:芯朋微/安趨
          型號:ID7S625SBC-R1
          封裝:SOW16
          功率:600V
          電流:2.5A
          訂購熱線:0755-23087599
            ID7S625高壓逆變器驅動芯片其浮地通道能工作在60OV的高壓下,可用于驅動一個N溝道功率MOSFE或IGBT半橋拓撲結構。是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率的MOSFET和IGBT柵極驅動器。具有獨立的高低側輸出通道。輸入信號可以兼容CMOS和LSTTL信號,邏輯輸入電平低至3V,具有大電流輸出能力。芯片內置的延時匹配功能可以為更好的適配高頻應用。
            
            id7s625驅動芯片特性  
            ■ 高側浮動偏移電壓600V  
            ■ 輸入邏輯兼容3.3V/5V/15V  
            ■ 自舉工作的浮地通道  
            ■ 芯片工作電壓范圍10V一20V  
            ■ 所有通道均具有欠壓保護功能(UVLO)  
            ■ 輸出電流能力2.5A  
            ■ 所有通道均有延時匹配功能
            
            id7s625芯片引腳圖

           
            ID7S625芯片電路圖
            
            備注:  
            1、IGBT的Vcc電源電壓應為15V,MOEFET的則為I2V至15V  
            2、柵極和電源設備之間的下拉電阻器,值為10kQ  
            3、驅動電路的開通關斷通道應獨立,電陽值根據功率器件而定  
            4、Vcc和自舉二極管之間的電阻,避免VBS dv/dt
            
            應用領域  
            ■ DCDC轉換器  
            ■ 功率MOSFET和IGBT驅動  
            ■ DC/AC轉換器
            
            ID7S625高壓逆變器驅動芯片具有欠壓保護,超低的 VDD 工作電壓,10-20V 寬范圍工作電壓范圍,穩健的 dV/dt 能力、VS 負偏壓能力,是高壓高低側柵極驅動芯片?杉嫒萏娲鷌r2110驅動芯片,典型應用于逆變器、DCDC 變換器等領域。
          產品中心 關于驪微 聯系我們
          久久综合亚洲色hezyo国产_久久综合国产乱子免费_国产极品99热在线播放69_神马激情

                <li id="phczw"></li>
              1. <s id="phczw"></s><th id="phczw"></th>