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          ID2006 200V半橋驅動芯片

          品牌:芯朋微/安趨
          型號:ID2006SEC-R1
          封裝:SOP8
          功率:6V~18V
          電流:1A/1A
          訂購熱線:0755-23087599
            ID2006芯片是一款基于P襯底、P外延工藝的高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅動芯片,具有獨立的高低邊參考輸出通道。該浮動通道可用于驅動高側配置的N溝道功率MOSFET,工作電壓高達200V。輸入信號可以兼容CMOS和LSTTL信號,邏輯輸入電平低至33V。具有大電流輸出能力。
            
            ID2006芯片特性  
            ■ 高側浮動偏移電壓200V  
            ■ 輸入邏輯兼容3.3V/5V  
            ■ dV/dt抗干擾能力±50V/nsec  
            ■ 芯片工作電壓范圍6V~18V  
            ■ 拉/灌電流能力典型值1A/1A  
            ■ VS負偏壓能力典型值-9V

            id2006驅動芯片封裝及引腳
            
            驅動芯片id2006工作原理圖
            
            備注1:RB值建議使用10Ω,BSD采用超快恢復或肖特基二極管! 
            備注2:CBS值根據PWM控制條件而定! 
            備注3:驅動電路應根據所使用的MOSFETs進行調整! 
            備注4:MOSFETs柵極和源極之間的下拉電阻,建議為10kΩ! 
            備注5:HIL/LIN和MCU之間的電阻器,建議值為100-1kΩ。
            
            應用領域  
            ■ 中小型功率電機驅動  
            ■ 功率MOSFET驅動  
            ■ 半橋功率逆變器  
            ■ 全橋功率逆變器  
            ■ 任意互補驅動轉換器
            
            ID2006 200V半橋驅動芯片是高低側半橋驅動芯片,具有防直通功能、輸入功率電壓高達 200V, 6-18V 寬范圍工作電壓范圍、1A/1A 拉灌電流能力、輸入兼容 3.3V, 5V 邏輯工作電平,典型應用于電動車、電動平衡車等領域,更多id2006驅動芯片產品手冊及應用資料請向驪微電子申請。>>
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