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          65W氮化鎵GaN快充方案PN8783+PN8307P

          字號:T|T
          文章出處:驪微電子責任編輯:電源管理芯片人氣:-發表時間:2022-11-08 11:02
            65W氮化鎵GaN快充方案由PN8783、PN8307P套片組成,PN8783具有卓越的環路穩定性、高功率密度、低待機功耗等明顯優勢。PN8307P采用自適應死區控制,支持反激變換器的DCM/QR工作模式,實現同步整流。
            
            一、方案概述  
            ■ 小尺寸設計:51mm(L)X29mm(W)X20mm(H)  
            ■ 輸出規格:5V3A,9V3A,15V3A,20V3.25A  
            ■ 高效率:滿載效率94.0%(230V),滿足CoC V5 Tier2能效規范  
            ■ 低待機功耗:小于75mW  
            ■ 寬供電范圍:支持PD3.0協議
            
            二、芯片特性  
            PN8783 內置高性能700V GaN FET,典型轉換效率大于93%;采用QR-Lock控制技術,大幅提高環路穩定性;最高支持500kHz工作頻率,可以有效減小變壓器及輸出電容體積,顯著提升充電器功率密度;內置800V高壓啟動管,待機功耗輕松滿足75mW;同時具有優異全面豐富的保護功能。
            
            PN8307P內置100V/7mΩ智能MOSFET,快速關斷+自適應死區控制提高MOSFET Rdson利用率,顯著降低溫升,專利輕載模式可降低待機功耗,具有超高性價比。
            
            三、DEMO實物圖 
           
            65W GaN快充方案demo如上圖所示,尺寸僅為51mmx29mmx20mm,外圍精簡。
            
            四、原理圖(功率部分)
            
            五、效率測試
            
            六、空載待機功耗
            
            七、EMC測試  
            ● EMI傳導、輻射滿足EN55032 Class B標準要求,裕量均大于6dB  
            ● ESD滿足IEC 61000-4-2,8kV/15kV等級要求  
            ● EFT滿足IEC 61000-4-4: 2004,4kV等級要求  
            ● Surge滿足IEC 61000-4-5:2005,2kV等級要求  
            ● 交流絕緣滿足3.75kVac要求。
            
            65W氮化鎵GaN快充方案PN8783+PN8307P,采用精準鎖谷底QR-Lock控制技術相比傳統QR,整體工作頻率更高、環路穩定性更佳,滿載效率94.0%(230V),待機功耗小于75mW,更多GaN快充方案規格、線路圖紙、變壓器設計、測試數據及應用要點等資料,請向芯朋微代理驪微電子申請。>>
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