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          30W pd快充方案PN8165+PN8307H(A)

          字號:T|T
          文章出處:驪微電子責任編輯:電源管理芯片人氣:-發表時間:2022-05-13 10:02
            芯朋微30W PD快充方案:PN8165+PN8307H(A),搭配行業最精簡的SOT23-3 Boost芯片AP2080,輕松實現輸出功率20W向30W的快速升級迭代。并且與20W PD快充產品PN8161+PN8307全兼容!
            
            一、方案特征  
            ■ 小尺寸設計:38mm(L)X36mm(W )X18mm(H)  
            ■ 輸出規格 5V3A,9V3A,15V2A,20V1.5A,3.3-11V/3A  
            ■ 滿足CoC V5 Tier2 能效規范  
            ■ 待機功耗小于75mW  
            ■ 最大輸出電壓紋波小于120mVP_P  
            ■ 支持PD3.0協議  
            ■ 整個方案包含:PN8165,PN8307H(A)和AP2080
            
            二、封裝及腳位配置
            
            PN8165主要特性  
            ■ 內置650V高雪崩能力的功率MOSFET  
            ■ 準諧振工作  
            ■ 最高開關頻率125kHz  
            ■ 外圍精簡,無需啟動電阻及CS檢測電阻  
            ■ 內置高壓啟動,空載待機功耗<50mW  
            ■ 改善EM I的頻率調制技術優異  
            ■ 全面的保護功能(OVP,UVP,OTP,CS短路保護等)
            
            PN8307H主要特性  
            ■ 集成MOS及SR控制于一體  
            ■ DFN 5x6封裝  
            ■ 適應多工作模式:QR/DCM  
            ■ SRMOS導通阻抗:100V/10m
            
            AP2080主要特性  
            ■ 應用于VDD輔助供電  
            ■ 具有Boost功能,可實現:低VDD且寬輸出的需求,有利于能效設計
            
            三、DEMO 實物圖
            
            四、方案典型應用圖
            
            五、待機功耗

            
            六、輸出規格及效率
            
            七、方案亮點  
            1、內置高壓啟動和電流采樣的高精簡主控:PN8165集成650V0.55Ω智能MOSFET,無需外部啟動電阻和CS電阻,方便布線,并提升市電低壓下的轉換效率! 
            2、100V全集成同步整流:PN8307H(A)內置100V/10mΩ智能MOSFET,自適應死區控制提高MOSFET Rdson利用率,顯著降低溫升,超高性價比! 
            3、兆赫茲SOT23-3升壓供電:AP2080采用兆赫茲開關頻率的COT控制技術,將儲能電感體積降至0805封裝,任何工況下PN8165供電范圍控制在11~35V,顯著提升15~20V輸出電壓下的轉換效率! 
            4、EMC性能卓越:采用QR控制方式+自適應抖頻+智能功率器件等組合創新技術,改善系統EMC性能,傳導輻射裕量輕松大于6dB! 
            5、保護功能豐富:方案具有市電欠壓保護、輸出過壓保護、原副邊防直通保護、過載保護、過溫保護等,為充電器安全運行保駕護航! 
            6、全系列腳位兼容:PN816x/PN8307x全系列芯片腳位相同,SOP8/PDFN兩種封裝靈活選擇,便于電源產品系列化設計及安規認證。
            
            PN8165+PN8307H(A)30W pd快充方案5V0A時230V輸入的待機功耗在50mW左右,滿足75mW能效標準,5V9V12V15V平均效率相對于能效標準有2.5%以上裕量,20V輸出下平均效率相對于能效標準有2%以上的裕量,更多30w快充設計方案特點、應用原理圖、變壓器設計、測試數據及應用要點請向我們申請。>>
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